Leave Your Message

Tụ điện IGBT hiệu suất cao Tụ điện điện tử công suất Snubber

Với dải điện dung từ 0,1-5uF và điện áp định mức từ 630V đến 3000V DC, tụ điện snubber được thiết kế để đáp ứng nhu cầu của các ứng dụng điện tử công suất hiện đại. Với phạm vi nhiệt độ trên và dưới từ -40°C đến 105°C, các tụ điện này tuân thủ các tiêu chuẩn IEC 61071-2017 và GB/T 17702-2013, đồng thời mang lại hiệu suất, độ tin cậy và tính linh hoạt vượt trội.

    Tụ điện MKP-HS

      

     

    Người mẫu

    GB/T 17702-2013

    IEC61071-2017

    630~3000V.DC

    -40~105oC

    0,1 ~ 5uF

     

     

     

     

     

    Đặc trưng

     

    Dễ dàng lắp đặt.

     

    Cường độ dv/dt cao..

     

      

    Khả năng chịu được điện áp cao, tản nhiệt thấp, tăng nhiệt độ thấp.

      

     

    Ứng dụng

     

    IGBT đang tắm nắng.

    Được sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất để hấp thụ và bảo vệ khỏi

    điện áp cực đại và dòng điện cực đại khi tắt thiết bị chuyển mạch.

    Dễ dàng cài đặt

    Thiết kế tụ điện của chúng tôi đảm bảo rằng chúng có thể được lắp đặt nhanh chóng và dễ dàng. Điều này giúp giảm thời gian và công sức cần thiết cho việc thiết lập, khiến chúng trở nên lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu tính hiệu quả và đơn giản.

    Điện trở cao

    Những tụ điện này có thể chịu được điện áp cao với tổn thất tối thiểu. Tính năng này đảm bảo rằng chúng hoạt động đáng tin cậy ngay cả trong những ứng dụng đòi hỏi khắt khe nhất, mang lại hiệu suất ổn định, lâu dài.

    Tiêu thụ điện năng thấp

    Thiết kế tụ điện của chúng tôi giảm thiểu mức tiêu thụ điện năng, từ đó nâng cao hiệu suất tổng thể. Mức tiêu thụ điện năng thấp rất quan trọng đối với các ứng dụng hiệu suất cao, trong đó mỗi watt đều có giá trị, đảm bảo hệ thống vẫn tiết kiệm năng lượng và tiết kiệm chi phí.

    Nhiệt độ tăng thấp

    Tụ điện của chúng tôi có mức tăng nhiệt độ thấp ngay cả trong điều kiện ứng suất cao. Tính năng này không chỉ kéo dài tuổi thọ sử dụng mà còn đảm bảo rằng chúng duy trì hiệu suất theo thời gian, giảm nhu cầu thay thế thường xuyên.

    Khả năng dv/dt cao

    Tụ điện của chúng tôi được thiết kế để xử lý tốc độ thay đổi điện áp cao (dv/dt). Tính năng này rất quan trọng đối với các ứng dụng liên quan đến mạch chuyển mạch nhanh và mạch động, nơi các tụ điện thông thường có thể bị hỏng.

    Mạch Snubber IGBT

    Trong Bóng bán dẫn lưỡng cực có cổng cách điện (IGBT), tụ điện của chúng tôi hoạt động như bộ giảm âm để bảo vệ chống lại các xung điện áp và quá độ. Chúng hấp thụ năng lượng dư thừa và ngăn ngừa hư hỏng IGBT, đảm bảo hoạt động trơn tru và đáng tin cậy.

    Bảo vệ đột biến và đột biến

    Những tụ điện này lý tưởng để hấp thụ điện áp và dòng điện cực đại trong thiết bị điện tử công suất. Chúng cung cấp khả năng bảo vệ chống lại sự đột biến và đột biến, bảo vệ các bộ phận nhạy cảm và tăng độ bền của toàn bộ hệ thống.

    Đặc tính điện của tụ điện màng

    bàn (8)78f

    Tuổi thọ so với nhiệt độ sạc

    bảng (9)xdy

    Tuổi thọ dự kiến ​​so với

    bảng (10)2tc

    Tốc độ thay đổi điện dung so với nhiệt độ

    tấm (11) nước mắt

    Dòng điện hoạt động so với nhiệt độ

    bảng (12)p9r

    Điện áp hoạt động so với nhiệt độ

    bàn (13)0y9

    (Giá trị CR) IR so với nhiệt độ

    bảng (14)iib

    Tốc độ thay đổi điện dung so với tần số

    bảng (15)rgw

    Tốc độ thay đổi điện dung so với tần số